記者張淑娟∕新市報導
南科的態金材料科技結合成大及業界優化「碳化矽中介層」，為國內SiC產業點燃曙光。態金研發長陳冠維指出，這技術不僅克服傳統雷射在此類材料上加工瓶頸，對矽光子共封裝及高功率運算(ＨＰＣ)晶片而言，是一項重大的突破。
在輝達新一代Rubin處理器的開發藍圖中，計畫把矽中介層的材料，由矽換成碳化矽，這個消息直接讓台灣半導體產業的碳化矽產業鏈快速升溫。而態金材料科技因相關專利技術的研發，成功地應用在碳化矽及氮化鋁陶瓷基板產業鏈上，目前正與成大半導體學院洽談開發計畫案。
陳冠維表示，目前除了學界合作外，他們已與國內多家合作夥伴啟動設備開發計畫，因為全球功率半導體市場在價格和產能的問題，正陷入前所未有的激烈廝殺，各大廠都陷入生存與轉型的兩難困境。
傳統碳化矽產業在意的切割技術，晶圓減薄及化學機械研磨耗時的困難，卻在態金獨家開發的「雷射輔助微粒子珠擊」專利製程下得到解決方案。
態金能將碳化矽晶圓及氮化鋁陶瓷基板在數分鐘內，以極高效率減薄至一百微米以下甚至更薄，並且進行微鑽孔與微溝槽加工，有效地成為電動車、再生能源、伺服器與高速運算領域的關鍵材料，而這些優勢將成為台灣廠商和中國大陸競爭者差異化的重點。
陳冠維表示，相關技術的突破不僅克服傳統雷射在此類材料上加工瓶頸(如裂紋、熱影響區、熔渣噴濺、塞孔…等)、機械研磨或化學蝕刻的高成本、低產能等問題，更能減少次表層損傷，而且能讓SiC與陶瓷基板應用至ＩＣ封裝製程的中介層、再分佈層，甚至有潛力取代ＡＢＦ載板，大幅提升高效能ＩＣ的熱設計功耗與溫控能力。