記堷楊文琳/台中報導
從自製SiC粉料、6吋、8吋到12吋長晶，再跨向散熱油、散熱膠與SiC鑽石薄膜，格棋化合物半導體在今年半導體展上，選擇用一件件實體成果，呈現台灣第三代半導體從材料源頭一路走向終端應用的可能性。更大的目標，則是將這套在台灣建立的技術能力，輸出給希望發展自主SiC產業的國家與企業。
走進今年的半導體展，在格棋化合物半導體的展位上，不是拿出最後完成的一片SiC晶圓，而是希望讓參觀者從「源頭」開始看。對格棋而言，這些「過程」甚至比最後一片漂亮的晶圓更重要。展位上，可以看到格棋自行製作的SiC粉料，完整的SiC晶錠，以及6吋、8吋乃至12吋晶體；甚至連12吋在技術開發過程中，從早期不完整的晶體，到一次次改善、逐漸走向完整的成果，都直接呈現在現場。
格棋董事熊觀明表示：「我希望大家來到格棋的展位，不要只看最後那片漂亮的晶圓，也看看我們曾經沒有長好的12吋晶體。因為從做不好，到一步一步把它做出來，那個過程才是真正的技術。」如何把一顆晶體真正長出來，背後才是一家公司能否掌握核心技術的證明。
SiC產業真正困難的地方，並不只是最後的切片與加工。從碳與矽開始，到SiC粉體製備、純度控制、熱場設計、長晶設備、製程參數，再到晶體成長，每一個環節都會影響最終晶體的品質。格棋選擇了一條最辛苦的路—從最源頭開始做。因此，這次展覽中特別受到關注的SiC粉料，看似只是一盤不起眼的粉末，背後代表的卻是格棋整套技術的起點。熊觀明說：「我們展示的不是幾項彼此獨立的產品，而是一條從材料源頭開始建立起來的技術鏈。」
熊觀明更指出，在AI伺服器、GPU、高功率半導體、CPO光通訊、電動車、儲能及無人載具快速發展之後，「熱」正在成為下一世代電子產業非常關鍵的瓶頸。因此，格棋開始把累積的SiC材料能力往下游延伸。這次展覽中，除了SiC粉料與晶體之外，也展示了SiC散熱油與散熱膠，以及相關的材料分布與應用成果。其中，格棋也展示散熱膠導入電池應用的測試成果；依格棋目前展示的測試數據，在特定測試條件下，相關散熱表現約有10%的改善。
另一項值得關注的技術方向，是格棋開始把材料能力從SiC延伸到Diamond（鑽石）。從細粉、鑽石相關材料，到鑽石薄膜技術，格棋正在建立下一階段的熱管理技術。尤其是SiC與Diamond結合的散熱技術，是格棋希望投入的重要前瞻方向。隨著AI晶片功率持續提升，未來真正困難的問題之一，可能不再只是如何讓晶片算得更快，而是如何把高熱通量迅速帶走。當一家公司能夠掌握粉料、設備、熱場、長晶製程、6吋、8吋乃至12吋技術，並進一步建立散熱材料與Diamond相關能力之後，這些Know-how本身就可以成為一項產品。因此，格棋未來的重要方向之一，是將整套技術進一步模組化，包括技術移轉、設備輸出、製程建置、人才培訓與量產輔導，提供給希望建立自主SiC產業的國家、政府或企業。