交大攜手環球晶圓 研發半導體

　記者彭新茹／新竹報導
　隨著５Ｇ、電動車等科技加速發展，功率半導體需求隨之升溫；著眼於第三代半導體材料碳化矽和氮化鎵的發展潛力，交通大學與環球晶圓廿七日簽訂合約，共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發第三代半導體材料，包含碳化矽和氮化鎵，期能快速建立台灣的化合物半導體產業鏈。
　交大代理校長陳信宏說，交大團隊將整合跨尺度學理研究特色，並結合環球晶圓生產製程相關獨特技術，整合理論與實務共同開發創新之高產能相關化合物半導體晶圓製造技術，以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓為目標。
　環球晶圓母公司中美矽晶榮譽董事長盧明光表示，碳化矽和氮化鎵是非常具有發展前景的半導體材料，在下一波產業５Ｇ、電動車高功率發電、高頻率的運用上是最關鍵的要素，台灣應該將第三代半導體之發展列為國家科技政策、全力發展。
　相較於傳統的半導體矽材料，碳化矽和氮化鎵這類寬能隙元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗；出色的性能適合在高溫高電流環境下運作，可提供更高的功率和絕佳熱傳導；其散熱性能優越，且高飽和電流適用於快速充電，這些卓越的特性適用在５Ｇ通訊、快速充電與超高壓產品如電動車領域，深具市場潛力，被視為功率半導體元件的明日之星。