半導體元件物理學 發表第四版

 

施敏院士(左)將其所獲得之「未來科學大獎」獎座捐贈予陽明交大紀念典藏。(記者彭新茹攝)

記者彭新茹∕新竹報導

陽明交通大學八日舉行終身講座教授施敏院士《半導體元件物理學》第四版新書發表會,施敏院士也將其二0二一年獲頒之「未來科學大獎」獎座捐贈予校方作為紀念典藏。

陽明交大表示,施敏院士於一九六七至一九六九年所撰寫的《半導體元件物理學》,起先用於交大電子研究所上課講義,很快受到全球矚目,翻譯成六國語言、發行超過三百萬冊,被全世界半導體和積體電路領域師生、研究人員及相關產業不斷地引用,成為全球最暢銷的「半導體界聖經」。

而因應日新月異的新科技與技術,發表的第四版上、下冊,與十五年前出版的第三版差異在於因應元件概念與性能的突破,不僅有百分之五十的材料資訊被校正或更新,更加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等,完整呈現和修訂最新元件發展的觀念、性能和應用。

施敏院士之《半導體元件物理學》第四版,不僅有50% 的材料資訊被校正或更新,更加上許多當代感興趣的元件,被喻為半導界的聖經。(記者彭新茹攝)

陽明交大說,引領全球半導體元件開發的施敏院士,二0二一年獲「未來科學大獎」之「數學與電腦科學獎」,在眾多嘉賓貴客見證之下,將此重要獎座捐予陽明交大典藏。除此之外,現場也展出施敏院士過往陸續贈予校方的快閃記憶體高峰會頒發的終身成就獎座、全球電機電子工程師學會所頒贈最高榮譽「尊榮會員」獎座;以及施敏院士於一九六四年最早發表的浮閘記憶體論文、《半導體元件物理學》英文手稿等珍貴史料。

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