記者王正平∕高雄報導
晶片荒已蔓延全球數年，長晶速度與穩定品質成為決勝關鍵！國立中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代半導體碳化矽的實驗室，已率先成功生長出直徑六吋的碳化矽晶體塊材。中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業，除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻ＭＩＴ產業升級，今年七月起更技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂五年五千萬技術移轉案，助攻台灣半導體材料領航優勢。
周明奇強調，第三類半導體材料碳化矽晶體是國家的重要戰略物資，中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功生長六吋導電型４Ｈ碳化矽單晶，並持續優化。
在研發過程中，中山大學團隊攜手台灣企業共同創新，例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體為百分之百ＭＩＴ，長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料更有賴高雄在地企業的應援。德國、日本廠商已投入坩堝研發生產數十年，特別感謝包括中鋼與中碳的專業支援。
周明奇表示，今年七月起，中山大學將六吋碳化矽晶體相關技術移轉至台灣應用晶體公司及其所屬集團，並簽訂五年五千萬技轉案，以每年一千萬專屬授權的買斷合約形式進行，這也代表該集團正式跨入次世代半導體領域。雙方於未來五年在六吋、八吋大尺寸的導電型與半絕緣型４Ｈ、６Ｈ碳化矽單晶，都將攜手合作。
「除了在第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢，中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵的單晶塊材。」周明奇說，下階段有機會導入化工專業領域的集團成為合作夥伴，從半導體產業鏈最上游的稀土原物料純化及廢料處理等創新研發著力，持續協助ＭＩＴ企業並提高台灣國際競爭力。